Sic sakausējums

Silīcija karbīds (SiC)ir pusvadītāju materiāls, kas sastāv no oglekļa un silīcija elementiem un kura ķīmiskā formula ir SiC. Silīcija karbīdu var izgatavot, kausējot izejvielas, piemēram, kvarca smiltis, naftas koksu un zāģu skaidas augstā temperatūrā pretestības krāsnī‌.

Silīcija karbīdam ir dažādas īpašības, tostarp augsts blīvums, augsta siltumvadītspēja, augsta lieces izturība, liels elastības modulis, spēcīga izturība pret koroziju un izturība pret augstu temperatūru. Šīs īpašības nodrošina silīcija karbīda labu darbību augstas temperatūras vidē, kas nav pakļauts lieces sprieguma deformācijai un termiskai deformācijai, kā arī nodrošina spēcīgu pielāgošanās spēju‌.

SiCtiek plaši izmantots daudzās jomās, tostarp pusvadītāju ražošanā, augstas temperatūras vides lietojumos, spēka elektronikā utt. Pusvadītāju ražošanā silīcija karbīdu izmanto termiskās apstrādes procesos, piemēram, slīpēšanā un pulēšanā, epitaksijā/oksidācijā/difūzijā, kas uzlabo precizitāti un ražošanas procesa efektivitāte. ‌
Augstas temperatūras vidē,SiCtiek izmantots tādās iekārtās kā gultņi, sildīšanas mehāniskās daļas un automašīnu bremzes. Turklāt silīcija karbīds tiek izmantots lieljaudas lietojumiem jaudas elektronikas jomā, kam ir augsts strāvas blīvums un augsta siltumvadītspēja. ‌